Konsantre sou endistri tandans ak ankouraje devlopman nan teknoloji silisyòm karbid
Kòm direksyon teknoloji debaz nan semiconductors pouvwa pwochen jenerasyon, avantaj prensipal la nan SiC (Silisyòm carbure) konpare ak modil IGBT tradisyonèl se ke pèt la oblije redwi anpil. Mitsubishi Electric te kòmanse rechèch sou teknoloji sa a osi bonè ke 1994. Apre 24 ane, Mitsubishi Electric te avèk siksè devlope premye ak dezyèm jenerasyon chips karbid silicone ak reyalize pwodiksyon an mas. Anplis de sa, Dr Gourab Majumdar di, "Mitsubishi Electric ap eseye konvèti nan jenerasyon an twazyèm."
Poukisa se angajman Mitsubishi Electric nan R & D ak depo pwodwi pou SiC teknoloji? Dr.GourabMajumdar te fè yon entèpretasyon teknik. Konpare ak Silisyòm monokristylin, Silisyòm carbure gen rezistans tanperati segondè (tanperati a maksimòm silisyòm sèl kristal se 170 ° C, pandan y ap Silisyòm carbide ka kenbe tèt ak 200 ° C), ba pouvwa konsomasyon (konpare ak sèl Silisyòm kristal, Redwi konsomasyon pa 70%) , aplikasyon fyab segondè ak lòt avantaj. Kòm yon eleman pouvwa ak pwòp li yo enèji-ekonomize fonksyon, Silisyòm carbure natirèlman gen avantaj ak ka louvri moute nouvo mache yo. Selon rapò, se 6-pous silicin carbide liy pwodiksyon Mitsubishi Electric a sitiye nan Kumamoto, Kyushu, Japon, e li pwograme yo dwe mas-pwodwi nan 2019.
Koulye a, jaden aplikasyon yo nan aparèy varyateur ki baze sou aparèy pouvwa Silisyòm yo ap agrandi. Malgre faktè a pri, pénétration sou mache a nan aparèy pouvwa silisyòm se trè ba, men ak avansman nan teknoloji, pri a nan karbid Silisyòm pral gout rapidman, epi li pral vin pwodwi a endikap nan mache semiconductor pouvwa a nan tan kap vini an.
Pou aplikasyon kandida yo nan aparèy pouvwa Silisyòm, Dr Gourab Majumdar admèt, "Koulye a, mache a se nan peryòd tranzisyon soti nan silikon monokristylin silisyòm carbure. Nou anpil kap pou pi devan pou mache sa a vin pi plis matirite, ak Mitsubishi elektrik ap tou ap nan jaden sa a. Plis pèfòmans, bay plis abondan ak pi bon pwodwi nan kliyan yo. "
